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鉬濺射靶材
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濺射是一種先進的薄膜材料制備技術,它利用離子源產生的離子,在真空中加速聚集成高速離子流,轟擊固體表面,離子和固體表面的原子發生動能交換,使固體表面的原子離開靶材并沉積在基材表面,從而形成納米或微米薄膜。而被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。鎢靶材和鉬靶材可在各類基材上形成薄膜,這種濺射膜廣泛用作電子部件和電子產品,如目前廣泛應用的TFT-LCD(薄膜半導體管-液晶顯示器)、等離子顯示屏、無機光發射二極管顯示器、場發射顯示器、薄膜太陽能電池、傳感器、半導體裝置以及具有可調諧功函數CMOS(互補金屬氧化物半導體)的場效應晶體管柵極等。


  近年來,作為LCD(液晶顯示)、PDP(等離子顯示)等平面顯示器的電極和配線材料的鉬系合金靶越來越受到人們的關注。在TFt-LCD中,柵電極是一個關鍵部件,以前主要是用Cr/A1作為柵電極材料,隨著平面顯示器的大型化和高精度化,對材料的比阻抗要求越來越高,鉬的比阻抗和膜應力僅為鉻的1/2,同時,由于鉻在蝕刻過程中會產生六價態Cr,對環境和健康有害,因此現在越來越多的公司改用Mo/A1作為柵電極材料,這樣對鉬靶材的需求也就越來越大。在鉬靶材的應用中,鉬合金的研究也越來越多,為進一步提高純鉬在耐腐蝕性(變色)和密著性(膜的剝離),在鉬中添加V、Nb、W、Ta則會使比電阻、應力及耐蝕性等各種性能更好。



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